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商品参数:

  • 型号:KRC837E
  • 厂家:KEC
  • 批号:05+
  • 整包数量:4000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:Y4
  • 封装:SOT-563/TES6
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 2.2KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 2.2KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)  20
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Features •EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR •INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. •With Built-in Bias Resistors. •Simplify Circuit Design. •Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. •High Packing Density
描述与应用 特点 •外延平面PNP晶体管 •接口电路和驱动器电路中的应用。 •内置偏置电阻器。 •简化电路设计。 •减少了部件数量和制造工艺。 •高密度封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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KRC837E
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