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商品参数:

  • 型号:KST5089-MTF
  • 厂家:SAMSUNG
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:IR
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)30V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)50MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)450~1200
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage500mV/0.5V
耗散功率PcPower Dissipation350mW/0.35W
Description & ApplicationsLow Noise Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor
描述与应用低噪声晶体管 NPN外延硅晶体管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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KST5089-MTF
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