| 三极管BJT类型 TYPE |
NPN |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
150MA |
| 三极管BJT截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
80MHZ |
| 三极管BJT直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
120~400 |
| 三极管BJT管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.25V |
| 二极管DIODE类型 TYPE |
开关二极管 |
| 二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage |
85V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current |
0.3A |
| 二极管DIODE正向电压降VF Forward Voltage(Vf) |
1.2V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
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| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
外延平面NPN型晶体管
硅外延平面型二极管
通用的应用程序。
超高速切换应用程序。
特性
*包括两个在USV(TR,二极管)设备。
(超超级迷你类型与5领导)
*简化电路设计。
*减少数量的零部件和制造过程。
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