| 反向电压VrReverse Voltage | 30V |
| 平均整流电流IoAVerage Rectified Current | 20mA |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1V |
| 最大耗散功率PdPower dissipation | |
| Description & Applications | • Schottky Barrier Diodes (SBD) • Silicon epitaxial planar type • For switching circuits • For wave detection circuit • Two isolated elements contained in one package, allowing highdensity mounting • Optimum for low-voltage rectification because of its low forward rise voltage (VF) • Optimum for high-frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) |
| 描述与应用 | •肖特基势垒二极管（SBD） •硅外延平面型 •开关电路 •波检测电路 •两个孤立的元素包含在一个包装，允许高密度安装 •最适用于低电压整流，低正向电压上升（VF） •最佳高频整流，因为其反向恢复时间短（TRR） |