| 额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min. |
6.46V |
| 平均Typ. |
6.8V |
| 最大max. |
7.14V |
| 误差Tolerance |
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| 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance |
30Ω/ohm |
| 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current |
0.1uA |
| 最大耗散功率PdPower dissipation |
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| Description & Applications |
Silicon epitaxial planar type For surge absorption circuits Excellent rising characteristics of zener current IZ Low zener operating resistance RZ Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Two pairs of anode Zener diode encapsulated in sot-363 |
| 描述与应用 |
硅外延平面型 浪涌吸收电路 齐纳电流IZ优良特性上升 低齐纳工作阻力RZ 有助于集小型化，减少元件数量。 两对共阳极齐纳二极管封装在sot-363 |