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  • 型号：MGF1902B
  • 厂家：MITSUBISHI
  • 批号：05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：GJ
  • 封装：GD-16
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-6V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current30mA-100mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-0.3V -- -3.5V
耗散功率PdPower Dissipation360mW/0.36W
Description & ApplicationsType carrier low noise GaAs FET S to X band low noise amplifiers and oscillators Low noise figure High associated gain
描述与应用载波低噪声砷化镓 场效应管类型 S到X波段低噪声放大器和振荡器 低噪声系数 高相关增益
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
MGF1902B
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