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商品参数:

  • 型号:MGF4916G
  • 厂家:MITSUBISHI
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:N
  • 封装:GD-16
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-3V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current15mA-60mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-0.1V -- -1.5V
耗散功率PdPower Dissipation50mW
Description & ApplicationsSuper low noise GaAs HEMT L to Ku band low noise amplifiers Low noise figure High associated gain
描述与应用超低噪音砷化镓 HEMT L到Ku波段低噪声放大器 低噪声系数 高相关增益
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MGF4916G
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