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  • 型号：MGF4917C
  • 厂家：MITSUBISHI
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：500
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：CH
  • 封装：GD-16
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-3V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-3V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current10mA-60mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-0.1V -- -1.5V
耗散功率PdPower Dissipation50mW
Description & ApplicationsType carrier super low noise GaAs FET X to K band low noise amplifiers and oscillators Low noise figure High associated gain
描述与应用超低噪音型载体砷化镓 场效应管 X到K波段低噪声放大器和振荡器 低噪声系数 高相关增益
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MGF4917C
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