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  • 型号：MGSF3441VT1
  • 厂家：ON
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：PT
  • 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-0.3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.078 @-3A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.45V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & Applicationslow Rds small-signal MOSFETs TMOS single P-CHANNEL field effect transistors Low Rds provides higher efficienccy and extends battery life miniature TSOPE6 surface mount package saves board space
描述与应用低Rds小信号MOSFET TMOS单P沟道 场效应晶体管 低RDS提供了更高的的efficienccy，并延长电池寿命 TSOPE6微型表面贴装封装，节省了电路板空间
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
MGSF3441VT1
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