| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 25V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20vV |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.0-2.1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 6.25W |
| Description & Applications | • Specified Performance @ 520 MHz, 7.5 Volts Output Power — 8 Watts Power Gain — 11 dB Efficiency — 55% • Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters • Excellent Thermal Stability • Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 9.5 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive • Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier Information Available Upon Request • RF Power Plastic Surface Mount Package • Available in Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 Inch Reel. |
| 描述与应用 | 功率MOSFET 300毫安，60伏 N沟道SOT-223 这是专为高速，低损耗电源功率MOSFET 开关应用，如开关稳压器，DC-DC转换器， 电磁阀和继电器驱动器。该器件采用SOT-223 包是专为中等功率表面贴装应用。 •指定的性能@520 MHz时，7.5伏特 输出功率 - 8瓦 功率增益 - 11分贝 效率 - 55％ •等效串联大信号特点 阻抗参数 •优良的热稳定性 •能够处理20:1 VSWR，@9.5 VDC， 520兆赫，2 dB高速 •宽带UHF/ VHF示范放大器 要求提供信息 •RF功率塑料表面贴装封装 •可在磁带和卷轴。 T1后缀= 1,000单位每12 mm，7英寸卷筒。 |