集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
9V / 9V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V / 6V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100MA / 60MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
14GHZ / 19GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~220 / 100~220 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.125W |
描述与应用
Description & Applications |
锗硅HBT类型
低噪声射频amplifi er
功能特性
*高击穿电压和高截止频率之间的兼容
*低噪声、高增益放大
*两个元素纳入一个包(每个晶体管分离)两个元素纳入packag之一
* SSSMini类型方案,减少安装面积和组装成本
*基本零件号基本零件号码
MSG330D4 + + MSG33002
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