NE32584C-T1 MESFET-N沟道 4V 20mA-90mA -0.2V -- -2.0V + marking/标记 D 高频应用|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

NE32584C-T1 MESFET-N沟道 4V 20mA-90mA -0.2V -- -2.0V + marking/标记 D 高频应用

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型号：NE32584C-T1
厂家：NEC
批号：05+
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最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：D
封装：+
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	4V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-3V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	20mA-90mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-0.2V -- -2.0V
耗散功率PdPower Dissipation	165mW/0.165W
Description & Applications	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER Super Low Noise Figure & High Associated Gain
描述与应用	异质结型场效应晶体管 C到Ku波段超低噪声放大器超级低噪声系数和高相关的收益

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
贴片式涤纶电容 ECHU1C103GA5 0.010uF 1206-103 marking/标记 G	ECHU1C103GA5 标记：G 封装：1206-103	Panasonic	批号：05+	0 10起订
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