PH5330E N沟道MOSFET 30V 80A SOT-669 marking/标记 5330E 硅栅高速开关/低驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

请先登录

PH5330E N沟道MOSFET 30V 80A SOT-669 marking/标记 5330E 硅栅高速开关/低驱动

库存100件10起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：PH5330E
厂家：NXP/PHILIPS
批号：04+ 05+
整包数量：1500
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：5330E
封装：SOT-669
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	80A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation	62.5W
Description & Applications	N-channel TrenchMOS™ logic level FET
描述与应用	N沟道的TrenchMOS™逻辑电平FET

规格书PDF

下载

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
可调电容 TZBX4Z060AB120T00 2.0-6.0pf 4X4-6P	TZBX4Z060AB120T00 标记：封装：4X4-6P	MURATA	批号：02+	20 10起订
BAT68-07 并行肖特基二极管 8V 130mA/0.13A 500mV/0.5V SOT-143 marking/标记 87 高速开关 VHF/UHF混频器	BAT68-07 标记：87 封装：SOT-143	INFINEON	批号：05+	1690 10起订
P6SMB13AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 11.1V 33A 3W DO-214AA/SMB-13V 标记13A	P6SMB13AT3 标记：13A 封装：DO-214AA/SMB-13V	ON	批号：05+ 05+	15500 10起订
SK003-03T-G	SK003-03T-G 标记：S40 封装：SOD-323	MITSUBISHI	批号：06+ (3R05没-G) 05+	137300 10起订
RN2105 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80 0.1W/100mW SOT-523/SC-75/SSM 标记YE 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路	RN2105 标记：YE 封装：SOT-523/SC-75/SSM	TOSHIBA	批号：05+ 05+NOPB8900	28700 10起订
2SK3402 N沟道MOSFET 60V 36A TO-252/D-PAK marking/标记 K3402 低导通电阻	2SK3402 标记：K3402 封装：TO-252/D-PAK	NEC	批号：05+	700 10起订
BZV49-C43 稳压二极管 43V 1W SOT89-43V marking/标记 43Y	BZV49-C43 标记：43Y 封装：SOT89-43V	NXP/PHILIPS	批号：11+NOPB	1000 10起订
SS2P3L-E3/84A 肖特基二极管 30v 2A 500mV/0.5V SOD-123/1206 marking/标记 23L 低压降	SS2P3L-E3/84A 标记：23L 封装：SOD-123/1206	VISHAY	批号：06NOPB 06+ROHS	1900 10起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: PH5330E

*主题：

详细内容：

*验证码：