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商品参数:

  • 型号:PHD101NQ03LT
  • 厂家:NXP
  • 批号:05+
  • 整包数量:2500
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:101NQ
  • 封装:TO-252/D-PAK
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current75A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance4.5Ω/Ohm @25A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage-2.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation166W
Description & ApplicationsN-channel TrenchMOS™ logic level FET
描述与应用N沟道的TrenchMOS™逻辑电平FET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PHD101NQ03LT
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