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  • 型号：PHD3055E
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+
  • 整包数量：2500
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：PHD3055E
  • 封装：TO-252/D-PAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current10.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.05Ω/Ohm @10300mA，10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation3.3W
Description & ApplicationsTrenchMOS™ standard level FET N-channel standard level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology Fast switching Low on-state resistance.
描述与应用TrenchMOS标准水平FET N沟道标准水平场效应功率晶体管在一个塑料包装使用 的TrenchMOS™1技术 快速开关 低通态电阻
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PHD3055E
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