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商品参数:

  • 型号:PHT4NQ10T
  • 厂家:NXP/PHILIPS
  • 批号:01+
  • 整包数量:4000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:4NQ10T
  • 封装:SOT-223/SC-73/TO261-4
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation6.9W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode field-effect transistor N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. TrenchMOS™ technology Very fast switching Surface mount package.
描述与应用N沟道增强型场效应晶体管 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™1技术。 开关速度非常快 表面贴装封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PHT4NQ10T
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