PMV65XP P沟道MOS场效应管 -20V -4.3A 0.065ohm SOT-23 marking/标记 WM9 低开启电压低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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PMV65XP P沟道MOS场效应管 -20V -4.3A 0.065ohm SOT-23 marking/标记 WM9 低开启电压低导通电阻

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型号：PMV65XP
厂家：NXP/PHILIPS
批号：05NOPB 05+NOPB150
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：WM9
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	12V
最大漏极电流IdDrain Current	-4.3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.065Ω @-1A,-4.7V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.47--0.9
耗散功率PdPower Dissipation	480mW/0.48W
Description & Applications	20 V, single P-channel Trench MOSFET Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology
描述与应用	20 V，单P沟道沟道MOSFET 低阈值电压低通态电阻沟道MOSFET技术

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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