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  • 型号：PMV65XP
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05NOPB 05+NOPB150
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：WM9
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-4.3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.065Ω @-1A,-4.7V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.47--0.9
耗散功率PdPower Dissipation480mW/0.48W
Description & Applications20 V, single P-channel Trench MOSFET Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology
描述与应用20 V，单P沟道沟道MOSFET 低阈值电压 低通态电阻 沟道MOSFET技术
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
PMV65XP
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