集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-0.1A/-100MA |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
4.7KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
4.7KΩ |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
1 |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
30 |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHZ |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
300MW/0.3W |
描述与应用
Description & Applications |
特点•东芝晶体管的硅PNP外延式（PCT程序）（偏置电阻内置晶体管）•包括两个设备中的SMV（5导线的超级迷你型）•借助内置的偏置电阻•简化电路设计•减少了部件数量和制造工艺•互补RN1501 RN1506应用•开关应用•逆变器电路应用•接口电路的应用•驱动器电路应用 |
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