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  • 型号:RT1N434C
  • 厂家:MITSUBISHI
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:N4
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)4.7KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)22KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio0.213
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)50
截止频率fT Transtion Frequency(fT)200MHz
耗散功率Pc Power Dissipation0.2W/200mW
Description & ApplicationsFEATURE ・Built-in bias resistor (R1=4.7kΩ,R2=22kΩ).
描述与应用·内置偏置电阻(R1=4.7kΩ上,R2=22KΩ)
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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RT1N434C
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