请先登录
首页
购物车0

×

商品参数:

  • 型号:RT1P44BM
  • 厂家:MITSUBISHI
  • 批号:05+NOPB2600 03+NOPB2600
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:PW
  • 封装:SOT-323/SC-70
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)-100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)68
截止频率fT Transtion Frequency(fT)150MHz
耗散功率Pc Power Dissipation0.2W/200mW
Description & ApplicationsFeatures •Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type •Built-in bias resistor (R2=47kΩ) APPLICATION •Inverted circuit,switching circuit,interface circuit, driver circuit
描述与应用特点 •开关应用硅PNP外延型晶体管,电阻 •内置偏置电阻(R2=47KΩ) 应用 •倒电路,开关电路,接口电路,驱动电路
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
RT1P44BM
*主题:
详细内容:
*验证码: