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  • 型号：S-1122B32MC-L8RTFG
  • 厂家：SEIKO
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：L8R
  • 封装：SOT-153/SOT23-5
  • 技术文档：下载

电路数量Number of Regulators1
输入电压VINVoltage - Input0.3~7V
输出电压VOUTVoltage - Output3.2V
输出电流IoCurrent - Output100mA/0.1A
最大压降VDOVoltage - Dropout250mV/0.25V
带使能脚EN/CE(ON/OFF功能)With Enable Pin有 Yes
最大耗散功率PdPower dissipation
Description & ApplicationsHIGH RIPPLE-REJECTION AND LOW DROPOUT CMOS VOLTAGE REGULATOR ;•Output voltage: 1.5 V to 5.5 V, selectable in 0.1 V steps. • High-accuracy output voltage: ±1.0% • Low dropout voltage: 190 mV typ. (3.0 V output product, IOUT = 100 mA) • Low current consumption: During operation: 50 μA typ., 90 μA max. During shutdown: 0.1 μA typ., 1.0 μA max. • High peak current capability: 150 mA output is possible (at VIN ≥ VOUT(S) + 1.0 V) • Built-in ON/OFF circuit: Ensures long battery life. • Low ESR capacitor can be used: A ceramic capacitor of 0.47 μF or more can be used for the output capacitor. • High ripple rejection: 80 dB typ. (at 1.0 kHz) • Built-in overcurrent protector: Overcurrent of output transistor can be restricted.
描述与应用高纹波抑制率低压差 CMOS电压稳压器;•输出电压：1.5 V至5.5 V，0.1 V步骤选择。 •高输出电压精度：±1.0％ •低压差电压：190 mV典型。 （3.0 V输出产品，IOUT= 100 mA时） •低电流消耗：在操作过程中：50μA（典型值），最大90μA。 休眠时：0.1μA（典型值），1.0μA最大值。 •高峰值电流能力：输出150 mA（VIN≥VOUT（S）+1.0 V） •内置开/关控制电路，确保电池寿命长。 •低ESR电容器可用于：0.47μF以上的陶瓷电容器可用于输出 电容。 •高纹波抑制：80 dB（典型值）。 （1.0千赫） •内置过载电流保护：可以限制输出晶体管的过载电流。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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S-1122B32MC-L8RTFG
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