SI1301DL-T1/LGW P沟道MOS场效应管 -20V -180mA 2.6ohm SOT-323 marking/标记 LGW|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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SI1301DL-T1/LGW P沟道MOS场效应管 -20V -180mA 2.6ohm SOT-323 marking/标记 LGW

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型号：SI1301DL-T1/LGW
厂家：VISHAY
批号：05+ 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：LGW
封装：SOT-323/SC70
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流IdDrain Current	-180mA/-0.18A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	2.6Ω @-180mA,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.40--1.5V
耗散功率PdPower Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用	P沟道20-V（D-S）的MOSFET

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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