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  • 型号：SI1304DL-T1
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K8S/LBJ
  • 封装：SOT-323/SC-70
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current750mA/0.75A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.350Ω/Ohm @750mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.6-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation280mW/0.28W
Description & ApplicationsN-Channel 25-V (D-S) MOSFET
描述与应用N沟道25-V（D-S）的MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI1304DL-T1
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