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  • 型号：SI1400DL-T1
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+NOPB500
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：NDS
  • 封装：SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current1.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance235mΩ@ VGS =2.5V, ID =1.3A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.6V
耗散功率Pd Power Dissipation568mW/0.568W
Description & ApplicationsN-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Trench FET Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
描述与应用N沟道20 V（D-S）的MOSFET 特点  •无卤素根据IEC 61249-2-21定义  •沟槽FET功率MOSFET  •符合RoHS指令2002/95/EC
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI1400DL-T1
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