首页
购物车0
库存0件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：SI1499DH-T1-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：08NOPB 08NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：BI
  • 封装：SOT-363/SC70-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage5V
最大漏极电流IdDrain Current-1.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.0622Ω @-2A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.35--0.8V
耗散功率PdPower Dissipation2.78W
Description & ApplicationsFEATURES • TrenchFET Power MOSFET • Ultra-Low On-Resistance
描述与应用功率MOSFET •超低导通电阻
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI1499DH-T1-E3
*主题：
详细内容：
*验证码：