SI1499DH-T1-E3 P沟道MOS场效应管 -8V -1.6A 0.0622ohm SOT-363 marking/标记 BI 功率MOSFET 超低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI1499DH-T1-E3 P沟道MOS场效应管 -8V -1.6A 0.0622ohm SOT-363 marking/标记 BI 功率MOSFET 超低导通电阻

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型号：SI1499DH-T1-E3
厂家：VISHAY
批号：08NOPB 08NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：BI
封装：SOT-363/SC70-6
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	5V
最大漏极电流IdDrain Current	-1.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.0622Ω @-2A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.35--0.8V
耗散功率PdPower Dissipation	2.78W
Description & Applications	FEATURES • TrenchFET Power MOSFET • Ultra-Low On-Resistance
描述与应用	功率MOSFET •超低导通电阻

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
热敏电阻 NTCCM16084BH472JCTB1 4.7KΩ 0603-4.7K	NTCCM16084BH472JCTB1 标记：封装：0603-4.7K	TDK	批号：00+ 05+	9000 10起订
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