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  • 型号：SI2303BDS
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：06+rohs 05+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：L3/A3
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-1.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.150Ω @-1.7A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation750mW/0.75W
Description & ApplicationsP-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道30-V（D-S）的MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI2303BDS
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