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  • 型号：SI2305DS
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+NOPB100 4* 环保的205个，没环保的76+244+55+700+395+268 2020-3-3D
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：A5/R5
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-3.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.044Ω @-3.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation1.25W
Description & ApplicationsP-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.25-W，1.8 V（G-S）的MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI2305DS
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