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  • 型号：SI2312BDS-T1-GE3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：06+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：M2
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.057Ω/Ohm @3.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsTrenchFET Power MOSFET 100% Rg Tested
描述与应用功率MOSFET 100％的Rg测试
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI2312BDS-T1-GE3
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