请先登录
首页
购物车0
库存2700件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：SI2312DS
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：c2
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current4.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.033Ω/Ohm @5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.45-0.85V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsN-Channel 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用N沟道20-V（D-S的MOSFET
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI2312DS
*主题：
详细内容：
*验证码：