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  • 型号：SI2316DS
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：C6
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.050Ω/Ohm @3.4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8V
耗散功率Pd Power Dissipation960mW/0.96W
Description & ApplicationsN-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET
描述与应用N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI2316DS
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