SI3424DV-T1-E3 N沟道MOSFET 30V 8A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 24GAG 低导通电阻/低电压驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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SI3424DV-T1-E3 N沟道MOSFET 30V 8A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 24GAG 低导通电阻/低电压驱动

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型号：SI3424DV-T1-E3
厂家：VISHAY
批号：10+nopb 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：24GAG
封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.028Ω/Ohm @7A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation	2.98W
Description & Applications	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET
描述与应用	N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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商品：: SI3424DV-T1-E3

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