请先登录
首页
购物车0
库存150件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数:

  • 型号:SI3456DV
  • 厂家:VISHAY
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:56
  • 封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current5.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance65mΩ@ VGS =4.5V, ID =4.3A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsN-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用N沟道30-V(D-S)的MOSFET
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
SI3456DV
*主题:
详细内容:
*验证码: