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  • 型号：SI3552DV
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：52
  • 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V/-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V/20V
最大漏极电流IdDrain Current2.5A/-1.8A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance175mΩ@ VGS =4.5V, ID =2A/360mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-1.2A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage1V/-1V
耗散功率PdPower Dissipation1.15W
Description & ApplicationsN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用N沟道和P-通道 30-V（D-S）的MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI3552DV
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