| 场效应管类型 |
N沟道场效应管 |
MOS最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
MOS最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±12V |
MOS最大漏极电流Id
Drain Current |
14.8A |
MOS源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance |
VGS = 4.5 V, ID = 8 A RDS=0.0132~0.016Ω |
MOS开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6~1.7v |
| 二极管类型 |
肖特基二极管 |
DIODE反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
DIODE平均整流电流Io
Average Rectified Current |
2A |
DIODE最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
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耗散功率Pd
Power Dissipation |
5.2w |
描述与应用
Description & Applications |
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