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  • 型号：SI5475DC
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：06NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：8FX
  • 封装：1206-8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-12V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-7.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance27mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -5.5A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation2.5W
Description & ApplicationsP-Channel 12-V (D-S) MOSFET TrenchFET 功率MOSFET
描述与应用P沟道12-V（D-S）的MOSFET 特点 *TrenchFET 功率MOSFET *低导通电阻 应用 *用于便携式设备的电池和负载开关
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI5475DC
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