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  • 型号：SI5513DC
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：EB
  • 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V/12V
最大漏极电流IdDrain Current3.1A/-2.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance134mΩ@ VGS =2.5V, ID =2.3A/260mΩ@ VGS =-2.5V, ID =-1.7A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.5V/-0.6~-1.5V
耗散功率PdPower Dissipation1.1W
Description & ApplicationsComplementary 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用互补的 20-V（D-S）的MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI5513DC
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