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  • 型号：SI5903DC-T1-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：0512NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：DAFAA
  • 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-12V
最大漏极电流IdDrain Current-2.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance260mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1.7A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.6V
耗散功率PdPower Dissipation1.1W
Description & ApplicationsDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
描述与应用双P沟道2.5-V（G-S）的MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI5903DC-T1-E3
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