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  • 型号：SI5904DC-T1-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：CB5AA
  • 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current3.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance143mΩ@ VGS =2.5V, ID =2.3A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.5V
耗散功率PdPower Dissipation1.1W
Description & ApplicationsDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES Trench FET Power MOSFET 2.5-V Rated
描述与应用双N沟道2.5-V（G-S）的MOSFET 特点 沟槽FET功率MOSFET 2.5 V额定
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI5904DC-T1-E3
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