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  • 型号：SI8405DB
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：09+NOPB18K 09+NOPB18KM盒子
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：8405
  • 封装：2X2 4-MFP
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-12V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-4.9A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.0046Ω @-1A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.45V-0.95V
耗散功率PdPower Dissipation2.77W
Description & ApplicationsFEATURES TrenchFET Power MOSFET New MICRO FOOT Chipscale Packaging Reduces Footprint Area Profile (0.62 mm) and On-Resistance Per Footprint Area
描述与应用TrenchFET？功率MOSFET 新的MICRO FOOT？芯片级封装 减少占位面积简介（0.62毫米） 每占位面积导通电阻
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI8405DB
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