请先登录
首页
购物车0

×

商品参数:

  • 型号:SSM6N16FU
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:05+NOPB2K 05+NOPB2K
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:DS
  • 封装:SOT-363/SC70-6/UF6
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance300mΩ@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.1V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switch Applications ●Suitable for high-density mounting due to compact package ● Low on resistance : Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 15 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●适用于高密度安装由于紧凑的封装 ●低导通电阻RON =3.0Ω(最大)(@ VGS=4 V) RON =4.0Ω(最大值)(@ VGS= 2.5 V) RON=15Ω(最大)(@ VGS=1.5 V)
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
SSM6N16FU
*主题:
详细内容:
*验证码: