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  • 型号：SST112
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：C2P
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage35v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -35v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current5ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -1~-5v
耗散功率PdPower Dissipation350mW/0.35W
Description & Applications•N–Channel JFETs •Low On-Resistance: J108 <8 •Fast Switching—tON: 4 ns •Low Leakage: 20 pA •Low Capacitance: 11 pF •Low Insertion Loss
描述与应用•N沟道JFETs •低导通电阻：J108<8 •快速开关吨：4纳秒 •低漏电流：20 pA的 •低电容：11 pF的 •低插入损耗
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SST112
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