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  • 型号：STD2NB60T4
  • 厂家：ST
  • 批号：05+
  • 整包数量：2500
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：D2NB60
  • 封装：TO-252/D-PAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current2.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.3Ω/Ohm @1.6A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage3-5V
耗散功率Pd Power Dissipation50W
Description & ApplicationsTYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED
描述与应用典型的RDS（on）=3.3Ω 非常高的dv/ dt能力 100％雪崩测试 非常低的固有电容 栅极电荷最小化
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
STD2NB60T4
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