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  • 型号：T3055EL
  • 厂家：JAT
  • 批号：05+
  • 整包数量：700
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：T3055EL
  • 封装：TO-252/D-PAK
  • 技术文档：

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage15V
最大漏极电流Id Drain Current1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.18Ω/Ohm @750mA,5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation800mW/0.8W
Description & ApplicationsN–Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS E–FET SOT–223 for Surface Mount
描述与应用N沟道增强模式 硅栅TMOS E-FET SOT-223表面贴装

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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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T3055EL
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