TM2301N P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.095ohm SOT-23 marking/标记 T21|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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TM2301N P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.095ohm SOT-23 marking/标记 T21

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商品参数：

型号：TM2301N
厂家：JAT
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：T21
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流IdDrain Current	-2.3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.095Ω @-2.8A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation	1.25W
Description & Applications	Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance
描述与应用	先进沟道工艺技术高密度电池设计超低导通电阻

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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商品：: TM2301N

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