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  • 型号：TPC8303
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：TPC8303
  • 封装：SM8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  -30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  ±20 V
最大漏极电流Id
Drain Current		  -4.5A
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance		  VGS = −4 V, ID = −2.2 A RDS=55~65mΩ
VGS = −10 V, ID = −2.2 A RDS=27~35mΩ
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  −0.8~ −2.0 V
耗散功率Pd
Power Dissipation		  0.75W
描述与应用
Description & Applications		  　　东芝硅P沟道MOS场效应晶体管类型(U?MOSII)
　　锂离子电池应用
　　便携式设备的应用程序
　　笔记本电脑
　　低消耗源电阻:RDS()= 27 mΩ(typ)。
　　高向前转移导纳:| yf | = 7 S(typ)。
　　低漏电流:ids=-10μA(max)(VDS =-30 V)
　　增强模式:Vth =-0.8 ~-2.0 V(VDS =?10 V,ID =?1 mA)
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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TPC8303
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