| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | 100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 8Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | 0.8~1.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | Small switching (30V, 0.1A) Features： 1) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low on-resistance. 4) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment. 5) Easily designed drive circuits. Applications: Interfacing, switching (30V, 100mA) Structure: Silicon N-channel MOSFET |
| 描述与应用 | 小开关（30V，0.1A） 特点： 1）两个2SK3018晶体管UMT在一个单一的封装中。 2）安装成本和面积可减少一半。 3）低导通电阻。 4）低电压驱动（2.5V）使该器件理想用于 便携式设备。 5）轻松设计的驱动电路。 应用范围： 接口，开关（30V，100mA的） 结构： 硅N沟道 MOSFET |