集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
2.2KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
0.047 |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
150MW/0.15W |
描述与应用
Description & Applications |
通用(双重数字晶体管)
特性
1)两个DTA123J芯片EMT城市轨道交通或SMT包。
2)UMT自动安装
3)晶体管是独立的元素,消除干扰。
4)安装成本和区域可以减少一半。
结构
外延平面类型
硅PNP晶体管(内置电阻类型)
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