集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
11V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
3.2GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
27~270 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
150MW/0.15W |
描述与应用
Description & Applications |
高转移频率(双晶体管)
1)两个2 EMT或城市轨道交通或SMT sc3838k芯片方案。
2)转移频率高。(ft= 3.2 ghz)
3)低输出电容。(Cob= 0.9 pf)
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