| 场效应管类型 |
P沟道 |
MOS最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
MOS最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±8V
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MOS最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.0A |
MOS源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance |
RDS(on)1 = 68 mΩ TYP. (VGS = −4.5 V, ID = −1.0 A)
RDS(on)2 = 84 mΩ TYP. (VGS = −2.5 V, ID = −1.0 A)
RDS(on)3 = 109 mΩ TYP. (VGS = −1.8 V, ID = −1.0 A)
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MOS开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 二极管类型 |
肖特基二极管 |
DIODE反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
DIODE平均整流电流Io
Average Rectified Current |
1A |
DIODE最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.38V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
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描述与应用
Description & Applications |
与肖特基势垒二极管p沟道MOS场效应晶体管
对切换
1.8 V驱动可用(金属氧化物半导体场效应晶体管)
低开态电阻(金属氧化物半导体场效应晶体管)
低正向电压(肖特基势垒二极管)
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