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  • 型号：UPA606T
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+NOPB200
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：MA
  • 封装：SOT-163
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  50V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  ±20V
最大漏极电流Id
Drain Current		  100MA/0.1A
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance		  VGS = 4.0 V, ID = 10 mA RDS=19~30Ω
VGS = 10 V, ID = 10 mA RDS=15~25Ω
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  
耗散功率Pd
Power Dissipation		  0.3W
描述与应用
Description & Applications		  　n沟道MOS场效应晶体管(六脚2电路)的切换
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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UPA606T
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